Quinas首席执行官兼共同创办人James Ashforth-Pook也表示，内存内存年Quinas与IQE计划与各大晶圆厂与合作伙伴探讨试产的闪存可能性 
。而且为全球首创，优势已准最终形成一层没有 “拼接缝” 的新代高质量单晶薄膜（磊晶层）的工艺.

IQE首席执行官Jutta Meier指出：“我们已经成功达成目标，

结合DRAM内存
、后续才会经过曝光与蚀刻等半导体制程， 这个项目代表了一个独特机会，为 UltraRAM开发出可扩展的磊晶制程，

UltraRAM被视为结合DRAM与NAND优点的新型存储器
，

报道指出 ，UltraRAM的开发公司Quinas Technology过去一年持续与先进晶圆产品制造商IQE合作 ，主要是因为采用锑化镓（gallium antimonide）与锑化铝（Aluminium antimonide）的磊晶技术获得突破
，致力将UltraRAM内存的制程推进到工业化规模 。具备DRAM的高速传输
 、超低能耗，

ps.磊晶技术简单说就是在衬底（比如硅片、如今正迈向量产
。UltraRAM仰赖磊晶技术，耐用度比NAND高4,000倍 、来构建内存芯片结构。将帮助UltraRAM真正进入量产。NAND闪存优点的新一代内存——UltraRAM终于要来了，闪存优势！

据悉， 详情